制造商:
Toshiba
产品种类:
MOSFET
RoHS:
是
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
CST3C-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
150 mA
Rds On-漏源导通电阻:
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
350 pC
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
0.38 mm
长度:
0.8 mm
系列:
SSM3K72
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
0.6 mm
商标:
Toshiba
正向跨导 - 最小值:
450 mS
下降时间:
24 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
3 ns
工厂包装数量:
10000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
7 ns
典型接通延迟时间:
2 ns
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朱先生
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